| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,生物產(chǎn)業(yè),電子/電池,航空航天 |
雙馬赫曾德爾IQ強度調(diào)制器(單邊帶產(chǎn)生)
馬赫增德爾IQ調(diào)制器概述
光波導型IQ調(diào)制器一共有三個MZ干涉波導結(jié)構(gòu)組成（一個母MZ干涉結(jié)構(gòu)，兩個子MZ干涉結(jié)構(gòu)），其中I為in-phase，Q為quadrature，控制調(diào)制器的射頻輸入即IQ信號為同相正交信號，即Q與I的相位相差了90度。IQ型調(diào)制器在QAM，QPSK等高階調(diào)制格式和單邊帶產(chǎn)生中運用廣泛。
圖1：調(diào)制器內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
法國IXBLUE(原photline）生產(chǎn)的基于x-cut設(shè)計的雙馬赫曾德爾調(diào)制器有相對更穩(wěn)定和零啁啾的特性，并且具有高消光比和高帶寬的性能。因為具有高主載波抑制比，被廣泛用在單邊帶產(chǎn)生（Single Side Band）相關(guān)應(yīng)用中。
IQ調(diào)制器性能參數(shù)
| Parameter | Min | Typ | Max | Max |
| Operating wavelength | 1530 | 1550 | 1580 | nm |
| Insertion loss | - | 5 | 7 | dB |
| Carrier attenuation | 32 | 40 | - | dB |
| Side-Band attenuation | 32 | 40 | - | dB |
| Electro-optical bandwidth | 20 | 25 | - | GHz |
CS-SSB 單邊帶產(chǎn)生 載波和副載波抑制效果
單邊帶調(diào)制示意圖
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雙馬赫曾德爾IQ強度調(diào)制器(單邊帶產(chǎn)生)
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